◆ 강좌개요

강의

제목

TCAD를 이용한 반도체 소자 설계

영역

구분

■ 설계(소자) □ 공정

강의기간

2024-07-01 ~ 2024-07-05 (5일)

강의

시간

총 28 시간

강의장소

전남대 공7호관 219,220호 

대상

학년

학부생 1~4학년

모집인원

20명(선발)

담당

교수

이명진(전남대학교) 외 1인

메일주소

mjlee@jnu.ac.kr

강의

형태

(선택1)

대면

비대면

혼합

이론/실습

(선택1)

이론

실습

이론+실습

●

●

수업

방식

(중복선택가능)

강의

실험실습

PBL(권장)

발표/토론

플립러닝

기타

●

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●

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강의

목표

 TCAD tool을 활용한 반도체 소자 설계 및 동작 특성 이해

강의

개요

TCAD를 이용한 반도체 소자 설계 기술을 익히며, TCAD의 기본 개념을 이해하고 TCAD의 기본적인 교육 및 실습을 진행한 후, 이를 기반으로 FET(Field Effect Transistor)을 설계하여 셀 트랜지스터의 각종 컨텍에 전압을 인가하여 트랜지스터를 동작시키고 제어하는 방법을 배운다. 이를 통해, TCAD를 활용한 반도체 설계 기법 및 기초 셀 트랜지스터의 동작 특성을 이해할 수 있도록 한다.

활용

Tool

 sentaurus TCAD

교재명

자체교안

선수

과목

물리전자, 반도체공학

◆ 강좌내용

차시

일자

시간

내용

방식

비고

1일차

2024-07-01

13:00~17:00 (4h)

- 반도체 소자 물리적 특성 개요

- 리눅스 체제 및 TCAD 기능 소개

이론

이명진 교수

2일차

2024-07-02

10:00~17:00 (6h)

- CMOS 기본 이론 설명

TCAD 예제 활용법 및 CMOS 예제 실습

실습

이명진 교수

3일차

2024-07-03

10:00~17:00 (6h)

- MOSFET Scaling에 따른 Short Channel Effect와 그 극복 방안

- FinFET 실습 예제 (7nm, 10nm, 14nm, 22nm)

- SOIFET 실습 예제 (FDSOI, PDSOI)

- TCAD를 이용한 메모리 소자 설계 기법

실습

이명진 교수

4일차

2024-07-04

10:00~17:00 (6h)

- sde를 활용한 conventional MOSFET 소자 설계

- sde를 활용한 RCAT 소자 설계

sdevice를 활용한 소자 동작 시뮬레이션

svisual을 활용한 소자 분석기법 및 전압 인가시 소자 특성 확인

팀별 토론 및 시뮬레이션 결과 발표

실습

외부강사

5일차

2024-07-05

10:00~17:00 (6h)

프로젝트 발표 및 시상식

실습

외부강사